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第397章 从四川资阳走出来的工程院院士着名半导体技术专家罗毅（第2页）

1987年，罗毅获得日本东京大学硕士学位。

1990年，领域获得日本东京大学博士学位。

求学之路解码

罗毅院士的求学之路以清华与东京大学为双支点，构建起“基础理论—前沿技术—产业实践”的立体成长框架。

罗毅在清华电子工程系接受系统训练，使他掌握了从器件设计到工艺实现的全链条能力，形成“问题导向—系统优化”的思维范式。

本科阶段，他参与半导体实验室项目，培养自己对技术细节的极致把控力（如工艺参数调试能力），为后续解决光电子器件产业化难题奠定方法论基础。

同期，国内半导体技术与国际的差距，使他确立了“芯片报国”的科研使命。

这一信念成为他回国组建团队、突破“卡脖子”技术的核心驱动力。

罗毅在东京大学的七年深造，实现三重突破。

他聚焦半导体光电子学，硕士研究量子阱结构设计，博士主攻超高速光电子器件，精准对接光纤通信产业需求。

他师从行业权威，参与Ntt联合实验室项目，掌握mbE等顶尖技术，建立纳米级材料制备能力。

博士阶段，他对量子阱能带结构的原子级精确计算，形成“从微观机制解决宏观性能”的研究路径。

他坚持自主技术路线，如回国后力主发展增益耦合技术，突破国外主导的折射率耦合路径局限。

他吸收日本“精益生产”理念，将实验数据精度要求提升至小数点后四位，并促成清华与住友电工等企业的技术合作，引入先进封装工艺。

罗毅在日本企业工作经历，使他深刻理解“实验室成果—工程化—产业化”的鸿沟。

回国后，他主导改造国产mbE设备，通过提升真空度（至5x10??pa）将材料缺陷密度降低两个数量级。

在技术路线选择上，他摒弃盲从，基于东京大学研究积累，他成功研发高成品率dFb激光器（单模率从10%提升至50%），相关成果获国家技术发明奖。

总之，罗毅在清华的工程底蕴、东京的前沿探索与日本产业实践的叠加，使他兼具基础研究的深度（发表300余篇ScI论文）与产业转化的力度（授权专利34项）。

这种“学术-技术-产业”的贯通式成长，使他在光电子芯片领域实现从跟跑到并跑的跨越。

这印证了顶尖科学家的成就，往往源于多元教育资源的系统性赋能与时代需求的精准响应。

院士从业之路

1990年4月—1992年3月，罗毅在日本光计测技术开发株式会社中央研究所，担任研究员。

1992年4月—1992年12月，罗毅担任清华大学电子工程系讲师。

1992年12月起，罗毅担任清华大学电子工程系教授。

1995年，罗毅获得国家杰出青年科学基金资助。

1997年—2012年，罗毅担任集成光电子学国家重点联合实验室主任。

2021年，罗毅当选为中国工程院院士。

从业之路解码

罗毅院士的从业之路，对他后来成为院士产生了重要的影响。

罗毅参与光通信模块封装项目，接触到日本企业“精益生产”体系。

从mbE设备的真空度控制（提升至10??pa）到量子阱材料缺陷密度优化（降低至10?cm?2），他亲身见证“实验室技术”到“量产产品”的1000米跨越。

罗毅发现国外对关键工艺参数的严格保密（如外延层生长速率误差＜1%），深刻体会到“技术主权”的重要性，为回国后坚持自主工艺路线埋下伏笔。